热烈祝贺德尔森江苏生产基地五月份单晶硅产品销量突破5000台/套！

MEMS（微电子机械加工系统）技术的日趋成熟将为传感器行业带来一场新的革命，对于压力、差压、液位与流量传感器/变送器而言，其封装的传感器芯片将本质决定产品的性能与等级。以目前国际市场上广泛采用的硅芯片技术而言，硅压阻技术加工工艺成熟，但其信噪比特性与温度特性有待提高；硅谐振技术加工工艺复杂，过压特性不好；德尔森MD系列芯片采用创新的单晶硅双梁悬浮式技术，结合了硅压阻与硅谐振技术双方特点，并以设计与工艺上做出了创新的优化，实现高精度、高稳定性、低温度影响，超高过压等优异性能，适用于工业过程控制、自动化制造、航天航空、汽车与船舶、医疗卫生等多个领域。

德尔森MD系列高稳定性单晶硅传感器芯片，拥有多项全球的性能，并已批量投向国际市场，在欧洲、亚洲已广泛应用于石油化工，冶金电力，工业自动化、航空航天、物联网等领域。

产品特点

■ 双梁悬浮式技术MEMS技术

德尔森MD系列单晶硅芯片采用双梁结构，双层惠斯通电桥布局，双桥路相互补偿，提高信噪比，达到温度特性。中间层弧角式悬浮，有效分解应力，实现超高过压。

■ 1kPa ... 40MPa标准量程

1kPa,6kPa,40kPa,100kPa,200kPa,400kPa, 4MPa,40MPa八个标准量程，涵盖过程控制全压力范围。全球最小量程1kPa，确保微差压段性能。

■ 优异的过压性能

1kPa芯片过压达1MPa（1000倍过压）

6kPa芯片过压达2.5MPa（417倍过压）

绝大部分微差压应用可实现无中心膜片结构，提高整体 准确度与静压特性，同时简化传感器结构、降低成本，让利于用户。

■ 梅花镜像布局

芯片惠斯通电电桥与引线布局，采用梅花镜像对称布局。 全对称布局、均衡受力，减小噪声来源，同时也方便一次封装， 提高稳定性与一致性。

■ 芯片单晶硅厚度达2.5mm

在硅芯片技术中，硅片的尺寸与有效硅层的厚度将对芯片的成本和性能起到很关键的作用。而且统一的传感器芯片材质，将更好的实现温度特性，让芯片在温度变化时，应力特性一致。德尔森MD系列芯片，采用全单晶硅材质，尺寸与厚度都为行业内大尺寸，不惜成本，注重品质。

■ 高性能参数

隔离：200MΩ U=10V

静压影响：<0.1% FS/100bar

温度影响：

1. 30℃→135℃→30℃（42h , MDS4）:最大输出信号偏差仅为：-0.07uV/V

2. 30℃→-40℃→30℃（42h , MDS4）:最大输出信号偏差仅为：-0.02uV/V

温度影响为：＜ 0.05%FS/K

灵敏度：20mV/V

长期稳定性：0.02% / 99% FS/1 年

工作温度：-40 ~85 ℃

DKS-DP200系列差压传感器采用德国MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片、全球始创的单晶硅双梁悬浮式设计，实现了国际的高准确度、超高过压性能、优异的稳定性。内嵌智能信号处理模块，实现静压与温度补偿的结合，可在大范围内的静压和温度变化下提供十分高的测量精度和长期稳定性。

DKS-DP200差压传感器是被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比的微位移，并将该压力差传导至单晶硅芯片两端，用集成电子电路检测这一变化，并转换输出一个相对应压力差的标准测量信号。

产品特点

■ 高准确度

由于采用了德国MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌德国原装进口测压膜盒与信号处理模块。所有传送器具有十分高的准确度。

■ 优异的过压性能

1kPa芯片过压达1MPa（1000倍过压）

6kPa芯片过压达2.5MPa（417倍过压）

■ 优异的环境适应性

应用于各种恶劣环境，工作温度范围-40~85℃。智能静压补偿和温度补偿，保护传感器不受温度、静压与过压的影响，将现场的综合测量误差控制到最小。

■ 安装便捷

传感器配有各种安装配件，适用于不同的安装要求。

■ 适用于多种壳体

标准M45、G55接口适合于等多种壳体，也可客户定制壳体连接方式。